PNP3200 LE 光通信高速共晶机

采用业内独特的双龙门结构，实现更高的贴装效率，温度最高可达450℃，轨道为密封式设计，可提供保护气体氛围
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脉冲加热共晶台
·具备脉冲加热能力
·最大温度450℃
·升温速率：≥80℃/s
·降温速率：≥30℃/s

多芯片
·支持MAX 13EA多吸嘴自动更换
·支持MAX 5 EA多顶针自动更换

芯片倒装

·支持倒装芯片生产工艺

双Bondhead结构
·具备双Bondhead结构，更高生产效率

PROCESS工艺流程

Specifications技术规格
PNP 3200 LE

  • X/Y贴装精度±1.5um@3σ（标定片）

  •  旋转精度±0.1°@3σ（标定片）

  • Bondhead旋转角度：0~360°

  • CPH ±1.5um：500（标准片，加热时间7s）

  • 支持芯片尺寸：0.15~50mm

  • Bondforce可选配10~1000gf

  • 选配倒装模块

  • 选配非接触激光测高模块

  • 选配自动上料模块

  • 选配自动下料模块

  •  选配吸嘴库

  • 选配顶针库

  • 支持基板类型：单只基板，尺寸0.15~50mm

  • 支持芯片类型：Waffle pack、Gel pak、Wafer Expender Ring、Tray

  • 设备尺寸：2200*1450*1750mm（含上下料模块）

  • 工作气压：0.4~0.6Mpa

  • 设备重量：2300kg

  • 电源：220V 50/60 Hz/5kVA

  •  工作环境：23±3℃/40%~60% RH



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